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935 现状

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“国产大硅片到现在都还是零,我们预计明年能出成果,到时候就是打破局面,填补国内大尺寸硅材料的空白。”

“方总,我们这两年进步还是很大的,基本解决近完美单晶生长技术难题,另外,拉晶炉拉速控制算法的开发也不错,这个能有效控制拉速控制系统的精度,进一步有效的控制缺陷。”

方卓抵达琴岛的次日就在张汝京的陪同下听他介绍了国产大硅片的工作。

张汝京深入浅出,尽量不使用专有名词。

方卓频频点头,为技术上的进展而欣慰。

再配合本地领导时不时的政策介绍,以及宣传口的热切拍照,俨然便是一幅“冰芯方总赴琴岛视察指导半导体工作图”。

方卓对于地方行政工作是能理解的,只要不影响自己与张总的沟通就好。

当然,这场沟通的绝大部分都是张汝京在滔滔不绝。

“不过,方总,技术领域我们的信心很足,但现在还有两个难关,一个是认证关,一个是投资关。”

方卓听到张总这样的话锋转折,不点头了,精神却为之一振。

好好好,还有一个难关是吧,速速说这个认证关。

张汝京凝神说道:“这个认证关,我们在国内出的成果,肯定需要得到晶圆厂和客户两边的认证,测试片的认证期通常是3-6个月,正片的认证期平均下来得13个月,本身我们的资金还是比较紧张的。”

方卓思索片刻,说道:“引入客户的这个流程是必须的,张总,流程范围内能不能快,很大程度还是落在技术工艺上面,你这里现在有能力跟上我们的45nm工艺吗?”

大硅片的技术参数要求高,各工艺环节往往需要长期积累,尤其最为核心的大单晶工艺决定了尺寸、电阻率等关键技术指标,而晶圆研磨、抛光工艺决定硅片的厚度、表面平整度等指标。

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