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胡正明：微电子学家，美国国籍。祖籍江苏省金坛市城西马干村。1947年7月出生于中国北京。

1968年台湾大学电机系毕业，获学士学位。

1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。

胡正明是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，。

对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出bsim。

从实际mosfet晶体管的复杂物理推演出数学模型。

该模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准。

发明了在国际上极受注目的finfet等多种新结构器件。

他还是鳍式场效晶体管的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直。

从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制。

当然，胡正明所做的贡献并不止这些，还有很多很多。仅在美国申请的各项专利就超过百项。

不过其中很大一部分都是1990年后创造的。

现在的胡正明还没有达到他科研事业和荣誉的巅峰。尽管如此，他已经是享誉世界的微电子学家了。

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