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一周的时间飞逝而过，这一周林禹完成了两项工作，一项是锑化镓和砷化铟镓的研究，另一件就是人工智能项目组的氧化镓芯片交付了。

对于锑化镓的研究很迅速，因为系统研究所的存在，所以多次实验之后，林禹很顺利地在现实里复刻出来。

首先，使用LEC法制作两英寸锑化镓单晶：使用高纯度Ga元素和Sb元素原位合成多晶，待熔体稳定适当时间并去除其表面氧化物浮渣后进行单晶生长，在单晶生长过程中采用NaCl-KCl作为液封剂。

然后采用和之前测试氧化镓一样的办法，利用X射线仪、紫外线谱仪、原子力显微镜这类仪器进行锑化镓的测定。

林禹也顺顺利利地将锑化镓的研究论文写了出来，同样是作为二维半导体材料研究的一部分，成为五人小组的共同成果。

而对于砷化铟镓，这种材料早在十年前就有米国的研究室制作出了成熟的晶体管，这种材料能够让电子的传输速度提高很多，是硅的许多倍。

砷化铟镓的各种性质基本介于砷化铟和砷化镓之间，在常温和低电压之下能够让电路里的电子正常通过，从另一种方面来说，计算机的效率会因此提高。

而且这种材料制作的晶体管能够快速处理信号，绝对是电子半导体的优良材料。

然而砷化铟镓制作的22纳米晶体管有一个非常不好的消息，那就是再这样的尺度之下，它的性能会恶化，这一点来自于氧化物捕获，电脉冲在通过砷化铟镓制作的晶体管时，如果保持一个较低的频率，来自氧化物的捕获会让电子的性能下降，然而解决办法也很简单，就是提高电脉冲通过晶体管的频率。

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