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一“胡总工，你说的这些靠谱吗？”奚龙山有些激动又有些怀疑地问。

“是啊，上了双胶的厚度还了得！那还怎么保证流明度？”

“双胶曝光产生化学反应不会腐蚀硅片上的沉积吗？”

“对啊，抛开腐蚀性不谈，这是要用哪两种胶搭配啊？涂覆后又要怎么消除不同性质的胶层间的折射呢？”

“你还考虑涂覆后的问题呢！我看涂覆本身就是个大问题！这可不是做奶油蛋糕，厚点没关系，胶层可是零点几微米的厚薄，底胶刷上去后，二层胶体的涂覆均匀度怎么保证？涂覆厚薄如何控制？我们现在的上胶设备都是采用高速旋转涂覆工艺，这要是再刷二层胶，底胶肯定被刮破的不成样子了！”

“你们就只考虑光刻胶，我看胡总关于解决几何畸变的思路才是最难解决的工艺，这需要对每台光刻机的镜头分别实验，采集参数，再对镜头与硅片之间定位的标记点作不同的微调，这里面要花多少功夫啊。”

“是啊，现在用的硅片定位系统可做不到这么智能化的微调，按照胡总的思路，光刻机每次曝光都要根据曝光图形来微调定位标点，这简直太精密了，等于说硅片定位系统要搞一套全新的设计，才能满足需求。”

王选玉工程师有些激动地道：“胡总，你有没有这方面的论文？如果有的话为什么不发表啊？把你的思路详细说一说不可以吗？”

胡一亭道：“这些都是国际上最领先的工艺，哪可能写论文给大家白看白学啊!

而且从根子上来说，没有更好的光刻机支持，制程工艺的改进不过是一种强行提高制程的手段罢了，为的是最大限度的提高实验室制程下的良品率。”

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